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Traitement personnalisé des mandrins à plaquettes céramiques Al2O3
Formées par pressage isostatique à froid et frittées à haute température, puis usinées et polies avec précision, les pièces de rechange en céramique répondent aux exigences les plus strictes des équipements pour semi-conducteurs grâce à leurs propriétés de résistance à l'usure et à la corrosion, leur faible dilatation thermique et leurs propriétés isolantes. La céramique peut être utilisée de manière prolongée dans de nombreux types d'équipements de production de semi-conducteurs, même en conditions de haute température, sous vide ou en présence de gaz corrosifs.
Fabriqué à partir de poudre d'alumine de haute pureté, traitée par pressage isostatique à froid, frittage à haute température et finition de précision, il peut atteindre une tolérance dimensionnelle de ±0,001 mm, une finition de surface Ra 0,1 et une résistance à la température de 1600℃.
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Plaque céramique ST.CERA pour équipements semi-conducteurs personnalisés
Formées par pressage isostatique à froid et frittées à haute température, puis usinées et polies avec précision, les pièces de rechange en céramique répondent aux exigences les plus strictes des équipements pour semi-conducteurs grâce à leurs propriétés de résistance à l'usure et à la corrosion, leur faible dilatation thermique et leurs propriétés isolantes. La céramique peut être utilisée de manière prolongée dans de nombreux types d'équipements de production de semi-conducteurs, même en conditions de haute température, sous vide ou en présence de gaz corrosifs.
Fabriqué à partir de poudre d'alumine de haute pureté, traitée par pressage isostatique à froid, frittage à haute température et finition de précision, il peut atteindre une tolérance dimensionnelle de ±0,001 mm, une finition de surface Ra 0,1 et une résistance à la température de 1600℃.
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Mandrin à vide en alumine de 12 pouces pour le traitement de plaquettes de 300 mm
Le mandrin à vide de 305 mm (12 pouces) de St.Cera est fabriqué avec précision à partir d'alumine de haute pureté (Al₂O₃) à 99,8 % pour la manipulation de plaquettes de 300 mm. Sa surface est dotée de rainures fines (largeur de rainure : 0,5 à 1,0 mm, pas : 2 à 3 mm) assurant une distribution uniforme du vide sur tout le diamètre de 300 mm. La planéité est maintenue à 5 µm près, permettant une fixation sans déformation des plaquettes lors du découpage, du meulage de la face arrière et du contrôle. La haute résistance à la flexion (361 MPa) et la dureté (16 GPa) du matériau garantissent une stabilité dimensionnelle à long terme, même après des cycles de vide répétés.
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Pièces de rechange en céramique pour équipements de test de semi-conducteurs
Formées par pressage isostatique à froid et frittées à haute température, puis usinées et polies avec précision, les pièces de rechange en céramique répondent aux exigences les plus strictes des équipements pour semi-conducteurs grâce à leurs propriétés de résistance à l'usure et à la corrosion, leur faible dilatation thermique et leurs propriétés isolantes. La céramique peut être utilisée de manière prolongée dans de nombreux types d'équipements de production de semi-conducteurs, même en conditions de haute température, sous vide ou en présence de gaz corrosifs.
Fabriqué à partir de poudre d'alumine de haute pureté, traitée par pressage isostatique à froid, frittage à haute température et finition de précision, il peut atteindre une tolérance dimensionnelle de ±0,001 mm, une finition de surface Ra 0,1 et une résistance à la température de 1600℃.
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Support pour équipement semi-conducteur à plaque céramique
Formées par pressage isostatique à froid et frittées à haute température, puis usinées et polies avec précision, les pièces de rechange en céramique répondent aux exigences les plus strictes des équipements pour semi-conducteurs grâce à leurs propriétés de résistance à l'usure et à la corrosion, leur faible dilatation thermique et leurs propriétés isolantes. La céramique peut être utilisée de manière prolongée dans de nombreux types d'équipements de production de semi-conducteurs, même en conditions de haute température, sous vide ou en présence de gaz corrosifs.
Fabriqué à partir de poudre d'alumine de haute pureté, traitée par pressage isostatique à froid, frittage à haute température et finition de précision, il peut atteindre une tolérance dimensionnelle de ±0,001 mm, une finition de surface Ra 0,1 et une résistance à la température de 1600℃.
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Pièces de rechange en céramique pour équipements semi-conducteurs
Formées par pressage isostatique à froid et frittées à haute température, puis usinées et polies avec précision, les pièces de rechange en céramique répondent aux exigences les plus strictes des équipements pour semi-conducteurs grâce à leurs propriétés de résistance à l'usure et à la corrosion, leur faible dilatation thermique et leurs propriétés isolantes. La céramique peut être utilisée de manière prolongée dans de nombreux types d'équipements de production de semi-conducteurs, même en conditions de haute température, sous vide ou en présence de gaz corrosifs.
Fabriqué à partir de poudre d'alumine de haute pureté, traitée par pressage isostatique à froid, frittage à haute température et finition de précision, il peut atteindre une tolérance dimensionnelle de ±0,001 mm, une finition de surface Ra 0,1 et une résistance à la température de 1600℃.
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Joint torique en céramique d'alumine haute pureté pour l'étanchéité des chambres à haute température
La bague d'étanchéité en céramique de St.Cera est conçue comme une alternative aux joints toriques en polymère pour les environnements extrêmes où les élastomères se dégradent. Fabriquée à partir d'alumine de haute pureté (Al₂O₃) à 99,8 %, cette bague d'étanchéité rigide est utilisée dans les applications d'étanchéité statique – généralement associée à un joint en métal souple ou en graphite – pour assurer une étanchéité fiable sous vide ou aux gaz jusqu'à 800 °C et dans des environnements plasma ou chimiques agressifs. Ce matériau offre une absence totale de dégazage, une résistance à la compression élevée (résistance à la flexion sous-jacente de 361 MPa) et une inertie chimique (résistant aux halogènes, aux acides et aux bases, à l'exception de HF). Les surfaces d'étanchéité rodées avec précision (planéité ≤ 5 μm, rugosité de surface Ra ≤ 0,2 μm) garantissent un contact étanche avec les composants métalliques ou céramiques en correspondance.
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Anneau de focalisation en alumine de haute pureté pour systèmes de gravure plasma et CVD
L'anneau de focalisation de chambre de St.Cera est un composant essentiel des kits de traitement utilisés dans les équipements de gravure plasma, CVD et PVD pour semi-conducteurs. Fabriqué en alumine de haute pureté (Al₂O₃) à 99,8 %, cet anneau entoure le bord de la plaquette pour confiner le plasma et optimiser la distribution angulaire des ions, améliorant ainsi l'uniformité de la gravure sur toute la surface de la plaquette. Ce matériau offre une résistance exceptionnelle au plasma, une rigidité diélectrique élevée (15 × 10⁶ V/m) et une stabilité thermique jusqu'à 1 600 °C, garantissant une fiabilité à long terme dans les environnements plasma agressifs à base de fluor ou de chlore. La précision de la rectification des diamètres intérieur et extérieur, ainsi que la planéité (≤ 10 µm), permettent un positionnement précis du bord de la plaquette, réduisant les défauts de bord et la génération de particules.
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Anneau en céramique d'alumine de haute pureté pour chambres de traitement CVD/PVD
L'anneau en céramique de St.Cera est spécialement conçu pour les chambres de traitement CVD (dépôt chimique en phase vapeur) et PVD (dépôt physique en phase vapeur). Fabriqué à partir d'alumine (Al₂O₃) de haute pureté (99,8 %), cet anneau sert de revêtement de chambre, d'anneau de focalisation ou de composant de kit de traitement pour confiner le plasma et protéger les parois de la chambre contre l'érosion. Le matériau offre une excellente résistance au plasma, une rigidité diélectrique élevée (15 × 10⁶ V/m) et une stabilité thermique jusqu'à 1 600 °C, garantissant une longue durée de vie dans les environnements plasma agressifs à base de fluor. Des tolérances dimensionnelles précises (±0,05 mm sur les diamètres intérieur et extérieur) et une planéité (≤10 µm) permettent un positionnement constant des bords de la plaquette, améliorant l'uniformité du dépôt et réduisant la génération de particules.
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Mandrin à vide en céramique poreuse pour la manipulation de plaquettes déformées
Le mandrin en céramique poreuse de St.Cera est fabriqué en alumine de haute pureté présentant une porosité ouverte uniforme de 30 à 45 % et des pores de 10 à 100 µm. Contrairement aux mandrins rainurés classiques, sa surface poreuse assure un vide réparti sur toute la face arrière de la plaquette, maintenant efficacement les plaquettes déformées, fines ou monoblocs sans risque de décollement ni de rupture. Le vide doux (réglable par un restricteur) prévient également le marquage de la face arrière.
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Mandrin à vide en céramique poreuse à base d'alumine pour la manipulation de plaquettes minces
Le mandrin poreux à base d'alumine de St.Cera est fabriqué à partir d'Al₂O₃ de haute pureté (99,6 %) avec une porosité ouverte contrôlée de 30 à 45 % et une taille de pores uniforme comprise entre 10 et 50 µm. Contrairement aux mandrins rainurés, sa surface poreuse assure un vide réparti sur toute la face arrière de la plaquette, éliminant ainsi les marques sur les bords et permettant une manipulation délicate des plaquettes ultra-minces (≤ 100 µm) ou déformées. Ce matériau offre une résistance à la flexion supérieure ou égale à 250 MPa et une stabilité thermique jusqu'à 400 °C à l'air.
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Plaque de distribution de gaz en alumine pour pommeau de douche CVD/PVD
La plaque de distribution de gaz (type pommeau de douche) de St.Cera est usinée avec précision à partir de céramique d'alumine de haute pureté (99,8 %). Elle est dotée d'un réseau de micro-orifices (diamètres de 0,3 à 1,5 mm) qui assurent un flux de gaz uniforme sur la surface de la plaquette lors des procédés CVD, PVD ou ALD. Sa rigidité diélectrique élevée (> 15 × 10⁶ V/m) et sa résistance au plasma en font un élément essentiel pour le dépôt de couches minces semi-conductrices.
